三星電子正通過公布其下一代芯片制造技術的具體性能指標，加大對行業領導者臺積電的追趕力度。
據媒體報道，三星電子首次公布了其即將推出的2納米芯片工藝的首批性能數據。首代2納米工藝采用了全柵極環繞（GAA）晶體管技術，相比第二代3納米工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
這一發布標志著三星的2納米藍圖從概念性描述轉向了具體的規格展示，意在向市場和潛在客戶證明其技術實力。
目前，全球晶圓代工市場格局高度集中。臺積電掌控著超過70%的市場份額，而三星的份額約為7%。大多數分析師預計，鑒于臺積電在高產量、生產穩定性以及滿足AI加速器和數據中心芯片強勁需求方面的優勢，其領先地位短期內難以動搖。
然而，市場動態正在發生微妙變化。報道指出，由于臺積電的先進工藝產能持續緊張，部分客戶開始尋求替代方案，這為三星創造了機會。三星晶圓代工業務正因此吸引到來自大型科技公司和初創企業的訂單，客戶基礎得以拓寬。
據相關行業消息，三星近期已開始為美國人工智能初創公司Chaboraite生產基于4納米工藝的處理器芯片。此外，三星還在2納米工藝上與特斯拉等公司展開合作。
韓國業內人士認為，盡管臺積電目前占據絕對優勢，但從2納米節點開始，全球晶圓代工市場的競爭可能會加劇。